| 发明名称 | 一种检测光刻机焦距偏移量的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体制造工艺领域，尤其涉及一种检测光刻机焦距偏移量的方法。一种检测光刻机焦距偏移量的方法，一种检测光刻机焦距偏移量的方法，所述方法包括：步骤S1，建立焦距偏移量与相对于套刻精度的线性模型；步骤S2，检测光刻机焦距偏移量时，量测套刻精度，并将所述套刻精度代入所述线性模型，计算焦距偏移量。 | ||
| 申请公布号 | CN105223784A | 申请公布日期 | 2016.01.06 |
| 申请号 | CN201510719205.X | 申请日期 | 2015.10.29 |
| 申请人 | 上海华力微电子有限公司 | 发明人 | 李文亮;吴鹏;陈力钧;朱骏 |
| 分类号 | G03F7/20(2006.01)I | 主分类号 | G03F7/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人 | 俞涤炯 |
| 主权项 | 一种检测光刻机焦距偏移量的方法，其特征在于，所述方法包括：步骤S1，建立焦距偏移量与相对于套刻精度的线性模型；步骤S2，检测光刻机焦距偏移量时，量测套刻精度，并将所述套刻精度代入所述线性模型，计算焦距偏移量。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号 | ||