| 发明名称 | 硅控整流器 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种硅控整流器，包括半导体衬底；形成于该半导体衬底上方的N阱和P阱；形成于该N阱中的第一P+掺杂区和第一N+掺杂区；形成于该P阱中的第二P+掺杂区和第二N+掺杂区；形成于该N阱与该P阱相接合位置的第三掺杂区；以及形成于该第三掺杂区上方的硅化金属阻止区，本发明通过采用硅化金属阻止区减小了电流路径，同时增大了PNPN结形成的寄生三极管的放大器系数，从而提升了硅控整流器的打开速度，提高了硅控整流器的ESD保护能力。 | ||
| 申请公布号 | CN102208455B | 申请公布日期 | 2016.01.06 |
| 申请号 | CN201110076563.5 | 申请日期 | 2011.03.29 |
| 申请人 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 胡剑 |
| 分类号 | H01L29/87(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/87(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 郑玮 |
| 主权项 | 一种硅控整流器，至少包含：半导体衬底；形成于该半导体衬底上方的N阱和P阱；形成于该N阱中的第一P+掺杂区和第一N+掺杂区；形成于该P阱中的第二P+掺杂区和第二N+掺杂区；形成于该N阱与该P阱相接合位置的第三掺杂区；形成于该第一P+掺杂区与该第一N+掺杂区之间、该第二P+掺杂区与该第二N+掺杂区之间的隔离结构；以及形成于该第三掺杂区上方的硅化金属阻止区，所述硅化金属阻止区至少覆盖所述第三掺杂区。 | ||
| 地址 | 201203 上海市张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||