| 发明名称 | MOS功率半导体器件 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种MOS功率半导体器件。本发明的MOS功率半导体器件，包括多个晶体管晶胞，所述晶体管晶胞采用微缩工艺形成，每一所述晶体管晶胞包括衬底、形成于所述衬底的一侧表面的外延层以及形成于所述外延层内的浅结结构。本发明有利于从整体上提高MOS功率半导体器件的击穿电压。 | ||
| 申请公布号 | CN102244100B | 申请公布日期 | 2016.01.06 |
| 申请号 | CN201110176519.1 | 申请日期 | 2011.06.28 |
| 申请人 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 王颢 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 郑玮 |
| 主权项 | 一种MOS功率半导体器件，包括多个晶体管晶胞，其特征在于，所述晶体管晶胞采用微缩工艺形成，每一所述晶体管晶胞包括衬底、形成于所述衬底的一侧表面的外延层以及形成于所述外延层内的浅结结构；所述晶体管晶胞的尺寸范围为6‑8微米；所述浅结结构的深度为2微米，使得所述MOS功率半导体器件的耗尽层整体上为准平面状耗尽层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||