发明名称 |
制造设备 |
摘要 |
本发明提供一种制造设备,该制造设备即使在一个多层薄膜中存在由同一类型的膜形成的多个层的情况下也能够执行所谓的连续基板传送并能够提高生产量。根据本发明的一个实施方式,制造设备设置有:传送室(12);各自设置有一个溅射阴极的三个溅射沉积室(13A、13C、13E);各自设置有两个或更多溅射阴极的两个溅射沉积室(13B、13D);以及用于进行除溅射以外的处理的处理室(14)。三个溅射沉积室(13A、13C、13E)、两个溅射沉积室(13B、13D)以及处理室(14)以使得各室能够利用传送室(12)进行基板的送出和接收的方式配置在传送室(12)的周围。 |
申请公布号 |
CN103403215B |
申请公布日期 |
2016.01.06 |
申请号 |
CN201180068637.9 |
申请日期 |
2011.12.02 |
申请人 |
佳能安内华股份有限公司 |
发明人 |
恒川孝二 |
分类号 |
C23C14/34(2006.01)I;C23C14/56(2006.01)I;H01L43/08(2006.01)I;H01L43/12(2006.01)I |
主分类号 |
C23C14/34(2006.01)I |
代理机构 |
北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 |
代理人 |
刘新宇;张会华 |
主权项 |
一种制造设备,其用于在基板上生长作为磁阻元件的多层膜,所述制造设备包括:传送室,其包括基板传送机构;第一溅射沉积室,其仅具有一个溅射阴极;第二溅射沉积室,其仅具有一个溅射阴极;第三溅射沉积室,其仅具有一个溅射阴极;第四溅射沉积室,其包括两个或更多溅射阴极;第五溅射沉积室,其包括两个或更多溅射阴极;以及处理室,其用于进行除溅射以外的处理,其中所述第一溅射沉积室、所述第二溅射沉积室、所述第三溅射沉积室、所述第四溅射沉积室、所述第五溅射沉积室以及所述处理室以使得各室能够利用所述传送室进行所述基板的送出和接收的方式配置在所述传送室的周围,并且所述第一溅射沉积室沉积所述多层膜中所包括的氧化物膜、氮化物膜和半导体膜中的至少一层。 |
地址 |
日本神奈川县 |