发明名称 |
一种半导体基板的刻蚀装置和方法 |
摘要 |
半导体刻蚀工艺是一种通过物理化学反应来移除基板表面物质的工艺,通常分为干法刻蚀和湿法刻蚀两大类。由于刻蚀工艺对机台设备的要求相对较低,工艺也比较简单,所以在半导体加工行业中得到了广泛地应用。但是,如何控制湿法刻蚀中的刻蚀速率一直是行业内公认的技术难点。本发明提供的基板刻蚀装置具有厚度检测模块,通过测量基板的厚度来调节刻蚀速率,达到了很好的效果。 |
申请公布号 |
CN105225981A |
申请公布日期 |
2016.01.06 |
申请号 |
CN201410235904.2 |
申请日期 |
2014.05.30 |
申请人 |
盛美半导体设备(上海)有限公司 |
发明人 |
仰庶;王晖;陈福平;张晓燕 |
分类号 |
H01L21/67(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/67(2006.01)I |
代理机构 |
上海专利商标事务所有限公司 31100 |
代理人 |
施浩 |
主权项 |
一种基板刻蚀装置,包括机台主体,基板装载端口,传送单元,药液供给系统和计算机系统,其特征在于:所述基板刻蚀装置进一步设有刻蚀腔体,所述刻蚀腔体内至少搭载有一个基板厚度检测模块,能够测量并反馈整个基板的厚度数据或基板某一区域的厚度数据。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区中国上海张江高科技园区蔡伦路1690号第4幢 |