发明名称 | 互连结构的形成方法 | ||
摘要 | 本发明提供了一种互连结构的形成方法。包括:在形成介质层后,在介质层上形成碳氧化硅(SiOC)层,在碳氧化硅层上形成金属掩模材料层;之后再刻蚀金属掩模材料层和碳氧化硅层形成硬掩模,并以硬掩模为掩模刻蚀介质层,在介质层形成通孔;向通孔内填充导电材料后,形成导电插塞。以碳氧化硅层和金属掩模材料层双层结构取代现有的含有金属层、TEOS层和采用低K材料制成的结合层的结构。后续在介质层内形成通孔后,清洗通孔以去除刻蚀介质层时所形成的刻蚀副产物时,碳氧化硅层、金属掩模材料层和介质层消耗速率相似,有效改善形成于硬掩模以及介质层内的通孔侧壁平整度,进而提高后续向通孔内填充的导电材料的填充性能,以提高形成的导电插塞的性能。 | ||
申请公布号 | CN105226008A | 申请公布日期 | 2016.01.06 |
申请号 | CN201410301170.3 | 申请日期 | 2014.06.27 |
申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 周鸣 |
分类号 | H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 高静;骆苏华 |
主权项 | 一种互连结构的形成方法,其特征在于,包括:提供基底;在所述基底上形成介质层;在所述介质层上形成碳氧化硅层;在所述碳氧化硅层上形成金属掩模材料层;刻蚀所述金属掩模材料层和碳氧化硅层以形成硬掩模;以所述硬掩模为掩模刻蚀所述介质层,在所述介质层内形成通孔;在所述通孔内填充导电材料,以形成导电插塞。 | ||
地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 |