| 发明名称 | 半绝缘双面抛光微波晶片 | ||
| 摘要 | 本实用新型涉及一种半绝缘双面抛光微波晶片，包括晶片本体，所述晶片本体的正面设置有上抛光层，所述晶片本体的背面设置有下抛光层，所述晶片本体的材质为砷化镓。砷化镓拥有一些较单晶硅还要好的电子特性，使得砷化镓可以用在高于250GHz的场合。如果等效的砷化镓和单晶硅元件同时都操作在高频时，砷化镓会产生较少的声音。也因为砷化镓有较高的崩溃压，所以砷化镓比同样的单晶硅元件更适合操作在高功率的场合。 | ||
| 申请公布号 | CN204946905U | 申请公布日期 | 2016.01.06 |
| 申请号 | CN201520752951.4 | 申请日期 | 2015.09.25 |
| 申请人 | 江苏中科晶元信息材料有限公司 | 发明人 | 戚林 |
| 分类号 | H01L29/20(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 常州市维益专利事务所 32211 | 代理人 | 陆华君 |
| 主权项 | 一种半绝缘双面抛光微波晶片，其特征是，包括晶片本体(1)，所述晶片本体(1)的正面设置有上抛光层(2)，所述晶片本体(1)的背面设置有下抛光层(3)，所述晶片本体(1)的材质为砷化镓。 | ||
| 地址 | 215600 江苏省苏州市张家港市塘桥镇（江苏张家港新能源产业园商城路231号）江苏中科晶元信息材料有限公司 | ||