半導体装置の製造方法、及び、半導体装置

摘要

フィン状半導体層、柱状半導体層、ゲート電極とゲート配線を自己整合で形成し、ダミーゲートとダミーコンタクトを同時に形成するゲートラストプロセスであるＳＧＴの製造方法とその結果得られるＳＧＴの構造を提供する。半導体基板上のフィン状半導体層の周囲に第１の絶縁膜を形成する第１工程と、第２の絶縁膜を形成し、第１のポリシリコンを堆積し平坦化し、第３の絶縁膜を形成し、第２のレジストを形成し、柱状半導体層と第１のダミーゲートと第１のハードマスクとを形成する第２工程と、第４の絶縁膜を形成し、第２のポリシリコンを堆積し平坦化し、エッチバックし、第６の絶縁膜を堆積し、第４のレジストを形成し、第２のハードマスクを形成し、第３のハードマスクを形成し、第２のダミーゲートを形成し、フィン状半導体層上に第１のダミーコンタクトを形成する第３工程とにより、課題を解決する。