高压工艺中不同厚度栅氧的集成方法

摘要

本发明涉及一种高压工艺中不同厚度栅氧的集成方法，包括以下步骤：提供一衬底，在所述衬底上依次形成氧化层和氮化硅层，所述衬底包括第一区域和第二区域；形成高压浅沟槽隔离结构和低压浅沟槽隔离结构；去除所述第二区域的栅氧化层及部分低压浅沟槽隔离结构；形成最终的高压栅氧化层和低压栅氧化层。综上所述，采用本发明所述方法使最终形成的低压浅沟槽隔离结构与高压浅沟槽隔离结构深度相同，从而有效提高隔离效果，降低漏电情况发生。

主权项

一种高压工艺中不同厚度栅氧的集成方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一衬底，在所述衬底上依次形成氧化层和氮化硅层，所述衬底包括第一区域和第二区域；在所述第一区域中形成高压浅沟槽隔离结构，在所述第二区域中形成低压浅沟槽隔离结构，所述高压浅沟槽隔离结构的深度小于所述低压浅沟槽隔离结构的深度；在所述衬底表面形成栅氧化层；利用湿法刻蚀去除所述第二区域的栅氧化层及部分低压浅沟槽隔离结构，所述第一区域中剩余的栅氧化层形成高压栅氧化层的一部分；利用热氧化工艺，在所述第一区域形成最终的高压栅氧化层，在所述第二区域的表面形成低压栅氧化层。