一种多栅极场效应晶体管的制作方法

摘要

本发明提供一种多栅极场效应晶体管的制作方法，首先提供一半导体基底，该半导体基底包括底部含Si半导体层、绝缘层以及顶部含Si半导体层；在所述半导体基底上沉积硬掩膜；通过一些步骤形成图案化的硬掩膜，并形成鳍片；在所述绝缘层、鳍片和所述硬掩膜上沉积另一绝缘层；去除多余的绝缘层，并保留一部分鳍片底部的绝缘层；最后去除硬掩膜。本发明还提供一种多栅极场效应晶体管结构，包括底部含Si半导体层、位于所述底部含Si半导体层上的绝缘层以及部分嵌入所述绝缘层的半导体鳍片，其中部分嵌入绝缘层的半导体鳍片高度为半导体鳍片总高度的1/10~1/3。

主权项

一种多栅极场效应晶体管的制作方法，包括：提供半导体基底，所述半导体基底包括底部含Si半导体层、绝缘层以及顶部含Si半导体层；在所述半导体基底上形成硬掩膜；图案化所述硬掩膜；形成鳍片,所述鳍片高度相同；在所述绝缘层、所述鳍片和所述硬掩膜上沉积另一绝缘层，所述另一绝缘层在所述绝缘层和所述硬掩膜上的部分较厚，在所述鳍片两侧的部分较薄；去除多余的所述另一绝缘层，使所述硬掩膜和所述鳍片的一部分暴露出来,所述鳍片暴露部分的高度相同。