侧入光式PIN光电探测器芯片及其制作方法

摘要

本发明公开一种侧入光式PIN光电探测器芯片及其制作方法，包括：衬底、缓冲层、吸收层、过渡层、顶层、接触层、复合钝化层、第一保护层、负电极、正电极、掺杂有源区以及一增透膜；所述衬底具有一入光面，所述增透膜形成于所述入光面，所述衬底底部形成一倒“V”型腐蚀槽，所述腐蚀槽的位置相对所述掺杂有源区设置，所述腐蚀槽具有第一侧壁与第二侧壁，所述第一侧壁与所述衬底底面成45°，所述第一保护层为介电常数低的聚酰亚胺保护层，所述接触层、顶层、过渡层及吸收层处的复合钝化层形成一P型台面，所述缓冲层处的复合钝化层形成一N型台面，所述P型台面与N型台面均与所述掺杂有源区同心设置。

主权项

一种侧入光式PIN光电探测器芯片，其特征在于，包括：衬底，形成于所述衬底上的缓冲层，形成于所述缓冲层上的吸收层，形成于所述吸收层上的过渡层，形成于所述过渡层上的顶层，形成于所述顶层上的接触层，形成于所述衬底、缓冲层与接触层上的复合钝化层，形成于所述复合钝化层上的第一保护层，形成于所述第一保护层、复合钝化层与缓冲层上的负电极，形成于所述接触层、复合钝化层与第一保护层上的正电极，形成于所述吸收层、过渡层、顶层与接触层中的掺杂有源区，以及一增透膜；所述衬底具有一入光面，所述增透膜形成于所述入光面，所述衬底底部形成一倒“V”型腐蚀槽，所述腐蚀槽的位置相对所述掺杂有源区设置，所述腐蚀槽具有第一侧壁与第二侧壁，所述第一侧壁与所述衬底底面成45°，所述第一保护层为介电常数低的聚酰亚胺保护层，所述接触层、顶层、过渡层及吸收层处的复合钝化层形成一P型台面，所述缓冲层处的复合钝化层形成一N型台面，所述P型台面与N型台面均与所述掺杂有源区同心设置。