激光器阵列与合波器单片集成芯片的制作方法

摘要

一种激光器阵列与合波器单片集成芯片的制作方法，包括：在n型InP衬底上依次生长n型InP缓冲层，n型AlGaInAs包层，AlGaInAs多量子阱层，p型AlGaInAs包层，InP间隔层，InGaAsP光栅层和InP牺牲层，形成基片，该基片的一侧为有源区，另一侧为合波器区；在合波器区的InP牺牲层中注入P离子并快速热退火；去掉InP牺牲层，在有源区的InGaAsP光栅层中制作光栅；在有源区和合波器区的InGaAsP光栅层上生长p型InP包层及p型InGaAs接触层；采用干法刻蚀去除p型InGaAs接触层，p型InP包层，InGaAsP光栅层，InP间隔层，在有源区形成各激光器单元的脊型波导及合波器区形成合波器脊型波导；在有源区的脊型波导上制作p电极；减薄n型InP衬底，并在其背面制作n电极，完成制备。

主权项

一种激光器阵列与合波器单片集成芯片的制作方法，包括如下步骤：步骤1：在n型InP衬底上依次生长n型InP缓冲层，n型AlGaInAs包层，AlGaInAs多量子阱层，p型AlGaInAs包层，InP间隔层，InGaAsP光栅层和InP牺牲层，形成基片，该基片的一侧为有源区，另一侧为合波器区；步骤2：在合波器区的InP牺牲层中注入P离子并快速热退火；步骤3：去掉InP牺牲层，在有源区的InGaAsP光栅层中制作光栅；步骤4：在有源区和合波器区的InGaAsP光栅层上生长p型InP包层及p型InGaAs接触层；步骤5：采用干法刻蚀去除p型InGaAs接触层，p型InP包层，InGaAsP光栅层，InP间隔层，在有源区形成各激光器单元的脊型波导及合波器区形成合波器脊型波导；步骤6：在有源区的脊型波导上制作p电极；步骤7：减薄n型InP衬底，并在其背面制作n电极，完成制备。