| 发明名称 | 紧凑CMOS器件绝缘结构 | ||
| 摘要 | 一种集成电路包括一个第一导电类型的第一阱，形成在半导体层中，第一阱罩住有源器件，并且连接到第一阱电势，一个第二导电类型的第二阱，形成在半导体层中，包围着第一阱，第二阱罩住有源器件，并且连接到第二阱电势，一个第二导电类型的掩埋层，形成在第一阱下方，并且部分重叠包围着第一阱的第二阱。在一个可选实施例中，集成电路包括一个第二导电类型的第三阱，取代掩埋层，第三阱含有第一阱，并且部分衬底包围着第一阱的第二阱。 | ||
| 申请公布号 | CN105226059A | 申请公布日期 | 2016.01.06 |
| 申请号 | CN201510364034.3 | 申请日期 | 2015.06.26 |
| 申请人 | 万国半导体股份有限公司 | 发明人 | 雪克·玛力卡勒强斯瓦密 |
| 分类号 | H01L27/092(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/092(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人 | 张静洁;徐雯琼 |
| 主权项 | 一种集成电路，其特征在于，包括：一第一导电类型轻掺杂的半导体层；一第一导电类型的第一阱，形成在半导体层中，所述的第一阱罩住有源器件，并且连接到第一阱电势，一第二导电类型的第二阱，形成在半导体层中，包围着第一阱，所述的第二阱罩住有源器件，并且连接到第二阱电势；以及一第二导电类型的掩埋层，形成在第一阱下方，至少部分重叠包围着所述第一阱的第二阱。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚桑尼维尔奥克米德公园道475 | ||