具高功率脉冲离子源的磁控溅射装置

摘要

本发明属于物理气相沉积领域，涉及一种具高功率脉冲离子源的磁控溅射装置。该装置包括由偏压电源供电的工件盘、与真空泵组相连的真空腔体，真空腔体内设有不少于2个的由电源Ⅰ供电的磁控溅射靶，相邻的磁控溅射靶之间设有由电源Ⅱ供电的高功率脉冲离子源，在真空腔体内形成闭环结构。本发明将高功率脉冲离子源同磁控溅射相复合，消除了高功率脉冲电源作为磁控溅射电源时产生的离子回流现象，保证了磁控溅射所需的高离化密度，高功率脉冲离子源提高了薄膜的沉积速率。

主权项

一种具高功率脉冲离子源的磁控溅射装置，包括由偏压电源（7）供电的工件盘（2）、与真空泵组（1）相连的真空腔体，真空腔体内设有不少于2个的由电源Ⅰ（5）供电的磁控溅射靶（3），其特征在于相邻的磁控溅射靶（3）之间设有由电源Ⅱ（6）供电的高功率脉冲离子源（4），在真空腔体内形成闭环电磁场结构。