一种带有P型柱体的超快速高压SOI LIGBT器件

摘要

本发明涉及一种半导体器件，公开了一种带有P型柱体的阳极N+/P+交叠短路的超快速高压SOI LIGBT器件，包括衬底、阳极P+区、阳极N+区、阳极金属、N型漂移区、场氧化层、阴极P+区、阴极P型体区、P型沟道区、发射极N+区、阴极金属、多晶硅栅、LIGBT器件栅氧化层、多晶硅栅金属和第一P型柱体区、第二P型柱体区。本发明的超快速高压SOI LIGBT的有益效果是、关断速度的加快、负阻现象NDR（Negative Differential Resistance）的消除、正向导通压降的减小以及关断时器件耐压的提升。

主权项

一种带有P型柱体的超快速高压SOI LIGBT器件，其特征在于所述器件包括衬底（1）、阳极P+区（5）、阳极N+区（4）、阳极金属（12）、N型漂移区（3）、场氧化层（16）、阴极P+区（8）、阴极P型体区（7）、P型沟道区（6）、发射极N+区（9）、阴极金属（11）、多晶硅栅（14）、LIGBT器件栅氧化层（10）、多晶硅栅金属（13）和第一P型柱体区（17）、第二P型柱体区（18），阳极金属（12）与阳极P+区（5）和阳极N+区（4）连接，阳极P+区（5）与阳极N+区（4）交叠短路排列。