发明名称 IGBT门极驱动电路、IGBT装置以及电动汽车
摘要 本发明提供一种IGBT门极驱动电路、IGBT装置以及电动汽车,包括:驱动芯片21、第一MOS推挽电路22和第二MOS推挽电路23,其中,所述第一MOS推挽电路的输入端子221与所述驱动芯片的输出端子211连接;所述第一MOS推挽电路的输出端子222与所述第二MOS推挽电路的输入端子231连接;以及所述第二MOS推挽电路的输出端子232与IGBT的门极连接。通过本发明提供的IGBT门极驱动电路及IGBT装置,只需更换MOS管的规格,即可实现使用同一规格的驱动芯片驱动不同规格的IGBT,能够在电路简化的基础上,提高IGBT驱动电路的兼容性。
申请公布号 CN105227165A 申请公布日期 2016.01.06
申请号 CN201410302804.7 申请日期 2014.06.27
申请人 西门子公司 发明人 于晶;刘波;单亮;庄朝晖
分类号 H03K17/567(2006.01)I 主分类号 H03K17/567(2006.01)I
代理机构 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人 李慧
主权项 一种IGBT门极驱动电路,其特征在于,包括:驱动芯片(21)、第一MOS推挽电路(22)和第二MOS推挽电路(23),其中,所述第一MOS推挽电路的输入端子(221)与所述驱动芯片的输出端子(211)连接;所述第一MOS推挽电路的输出端子(222)与所述第二MOS推挽电路的输入端子(231)连接;以及所述第二MOS推挽电路的输出端子(232)与IGBT的门极连接。
地址 德国慕尼黑