发明名称 | MEMS电容式压力传感器及其制造方法 | ||
摘要 | 本发明提供了一种MEMS电容式压力传感器及其制造方法。该MEMS电容式压力传感器包括集成在具有第一导电类型的同一衬底中的感测电容器和与其对应的用于对其进行补偿的多个参考电容器,其中,感测电容器包括衬底内的感测掩埋腔和感测掩埋腔上方的悬浮的可变形的感测隔膜;每个参考电容器包括衬底内的参考掩埋腔和参考掩埋腔上方的悬浮的参考隔膜;以及多个参考隔膜的总面积与感测隔膜的面积相同。在该MEMS电容式压力传感器中,一个感测电容器的感测隔膜的面积等于多个参考电容器的参考隔膜的面积的总和,因此在真空条件下,多个参考电容器具有与感测电容器的电容相同的总电容,因此可以消除感测电容器的静态电容,使得测量结果更加准确。 | ||
申请公布号 | CN105222931A | 申请公布日期 | 2016.01.06 |
申请号 | CN201510362650.5 | 申请日期 | 2015.06.25 |
申请人 | 香港科技大学 | 发明人 | 王文;曾凡 |
分类号 | G01L1/14(2006.01)I | 主分类号 | G01L1/14(2006.01)I |
代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人 | 顾丽波;井杰 |
主权项 | 一种MEMS电容式压力传感器,包括集成在具有第一导电类型的同一衬底中的感测电容器和与其对应的用于对其进行补偿的多个参考电容器,其中,所述感测电容器包括衬底内的感测掩埋腔和感测掩埋腔上方的悬浮的可变形的感测隔膜;所述每个参考电容器包括衬底内的参考掩埋腔和参考掩埋腔上方的悬浮的参考隔膜;以及所述多个参考隔膜的总面积与感测隔膜的面积相同。 | ||
地址 | 中国香港九龙清水湾 |