发明名称 |
具有AlGaN导电层的发光二极管外延结构 |
摘要 |
本实用新型公开具有AlGaN导电层的发光二极管外延结构。发光二极管外延结构包括衬底、GaN缓冲层、N型GaN导电层、多量子阱有源区和P型AlGaN导电层。P型导电层为含铝的AlGaN材料,且AlGaN层中的Al组分沿生长方向线性递增。本实用新型的P型AlGaN导电层可以避免在P型AlGaN电子阻挡层和P型GaN导电层引起的阻挡空穴注入多量子阱有源区的势垒,P型AlGaN导电层中的Al组分沿生长方向线性递增,可以减少极化电荷密度,降低量子阱的极化电场强度,减少能带弯曲,增强P型AlGaN导电层对电子溢出阻挡效果,并减弱对空穴注入的阻挡。 |
申请公布号 |
CN204946923U |
申请公布日期 |
2016.01.06 |
申请号 |
CN201520619273.4 |
申请日期 |
2015.08.15 |
申请人 |
华南理工大学 |
发明人 |
徐明升;周泉斌;王洪 |
分类号 |
H01L33/14(2010.01)I;H01L33/06(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/14(2010.01)I |
代理机构 |
广州粤高专利商标代理有限公司 44102 |
代理人 |
何淑珍 |
主权项 |
一种具有AlGaN导电层的发光二极管外延结构,其从下至上依次包括衬底、GaN缓冲层、N型GaN导电层、多量子阱有源区和P型导电层,其特征是所述P型导电层为含铝的AlGaN材料即P型AlGaN导电层,且P型AlGaN导电层中的Al组分沿生长方向线性递增。 |
地址 |
510640 广东省广州市天河区五山路381号 |