| 发明名称 | 包括第一和第二半导体元件的半导体器件 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种包括第一和第二半导体元件的半导体器件。一种半导体器件包括：第一半导体元件，其包括在第一端子与第二端子之间的第一pn结。该半导体器件还包括：半导体元件，其包括在第三端子与第四端子之间的第二pn结。该半导体元件还包括：半导体本体，其包括单片地集成的第一半导体元件和第二半导体元件。第一和第三端子电耦合到第一器件端子。第二和第四端子电耦合到第二器件端子。第一pn结的击穿电压V<sub>br1</sub>的温度系数α<sub>1</sub>和第二pn结的击穿电压V<sub>br2</sub>的温度系数α<sub>2</sub>具有相同代数符号并且在T=300K处满足 <img file="dest_path_image002.GIF" wi="218" he="26" />，其中V<sub>br2</sub> < V<sub>br1</sub>。 | ||
| 申请公布号 | CN103165597B | 申请公布日期 | 2016.01.06 |
| 申请号 | CN201210522047.5 | 申请日期 | 2012.12.07 |
| 申请人 | 英飞凌科技股份有限公司 | 发明人 | U.格拉泽;F.希尔勒;C.伦兹霍费尔 |
| 分类号 | H01L27/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 马永利;卢江 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：第一半导体元件，其包括在第一端子与第二端子之间的第一pn结；第二半导体元件，其包括在第三端子与第四端子之间的第二pn结；半导体本体，其包括单片地集成的所述第一半导体元件和所述第二半导体元件；并且其中所述第一和第三端子电耦合到第一器件端子；所述第二和第四端子电耦合到第二器件端子；并且所述第一pn结的击穿电压V<sub>br1</sub>的温度系数α<sub>1</sub>和所述第二pn结的击穿电压V<sub>br2</sub>的温度系数α<sub>2</sub>具有相同代数符号并且在T=300K处满足<img file="dest_path_image001.GIF" wi="218" he="18" />，其中V<sub>br2</sub> < V<sub>br1</sub>。 | ||
| 地址 | 德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1－12号 | ||