发明名称 |
局部薄层硅的制作方法 |
摘要 |
本发明提供一种局部薄层硅的制作方法,所述方法包括:提供SOI衬底,所述SOI衬底包括薄层硅区域和非薄层硅区域;在所述SOI衬底的表面上形成保护层;对所述保护层进行图案化,以去除所述薄层硅区域所对应的保护层;采用热氧化法在所述薄层硅区域内形成第一氧化层;去除所述第一氧化层,以在所述SOI衬底的表面形成浅槽;在所述浅槽的侧壁上形成阻挡侧墙;以及采用热氧化法在所述浅槽内形成第二氧化层。该制作方法可以在对薄层硅区域进行氧化的过程中控制形成的“鸟嘴”的长度,使其不会随着氧化层的厚度增加而变长,即,可以在减小薄层硅区域的厚度的同时,保持非薄层硅区域的有效面积不变,从而可以提高工艺的集成度。 |
申请公布号 |
CN105225938A |
申请公布日期 |
2016.01.06 |
申请号 |
CN201410242657.9 |
申请日期 |
2014.06.03 |
申请人 |
无锡华润上华半导体有限公司 |
发明人 |
宋亮;张森 |
分类号 |
H01L21/30(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/30(2006.01)I |
代理机构 |
北京市磐华律师事务所 11336 |
代理人 |
汪洋;余玥君 |
主权项 |
一种局部薄层硅的制作方法,所述方法包括:提供SOI衬底,所述SOI衬底包括薄层硅区域和非薄层硅区域;在所述SOI衬底的表面上形成保护层;对所述保护层进行图案化,以去除所述薄层硅区域所对应的保护层;采用热氧化法在所述薄层硅区域内形成第一氧化层;去除所述第一氧化层,以在所述SOI衬底的表面形成浅槽;在所述浅槽的侧壁上形成阻挡侧墙;以及采用热氧化法在所述浅槽内形成第二氧化层。 |
地址 |
214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号 |