发明名称 |
EEPROM的制备方法 |
摘要 |
本发明提出了一种EEPROM的制备方法,在形成存储比特结构和常开比特结构之后,对其中需要置于常开比特结构进行离子注入,离子注入于常开比特结构下方衬底的表面,可以降低阈值电压,提高电流,在EEPROM工作时有利于数据的存储和维持,提高器件的性能。 |
申请公布号 |
CN105226028A |
申请公布日期 |
2016.01.06 |
申请号 |
CN201510695208.4 |
申请日期 |
2015.10.22 |
申请人 |
上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
发明人 |
高超;江红;李冰寒 |
分类号 |
H01L21/8247(2006.01)I;H01L21/266(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/8247(2006.01)I |
代理机构 |
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 |
代理人 |
屈蘅 |
主权项 |
一种EEPROM的制备方法,其特征在于,包括步骤:提供衬底,在所述衬底上形成有字线、存储比特结构、常开比特结构、介质层、栅介质层及源漏极,所述源漏极形成在所述衬底内,所述栅介质层形成在所述衬底上,所述字线、存储比特结构、常开比特结构及介质层均形成在所述栅介质层上,所述存储比特结构和常开比特结构位于所述字线的两侧,并由所述介质层隔离开;对所述常开比特结构进行离子注入处理,离子注入于常开比特结构下方衬底的表面,降低阈值电压。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 |