发明名称 |
刻蚀速率监控方法及设备 |
摘要 |
本发明实施例提供的刻蚀速率监控方法及设备,涉及液晶显示领域,能够通过采集到的光强分布,以及基板上膜层各个位置上的刻蚀速率、刻蚀膜层变化判断刻蚀终点以及刻蚀的均一性。该方法包括:获取被刻蚀膜层上各个预设区域的光强分布;获取所述被刻蚀膜层的厚度;根据所述被刻蚀膜层的厚度以及各个预设区域的光强分布计算出刻蚀速率;若所述与各个预设区域的光强对应的刻蚀速率均小于预设值,则确定刻蚀终止。 |
申请公布号 |
CN103531501B |
申请公布日期 |
2016.01.06 |
申请号 |
CN201310499071.6 |
申请日期 |
2013.10.21 |
申请人 |
合肥京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
发明人 |
丁欣;张亮;刘祖宏;侯智;吴代吾;刘建辉;陈甫;刘轩 |
分类号 |
H01L21/66(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/66(2006.01)I |
代理机构 |
北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 |
代理人 |
申健 |
主权项 |
一种监控设备,其特征在于,包括:获取模块,用于从被刻蚀膜层上设定的感测扇区内获取各个预设区域的光强分布;输入模块,用于获取所述被刻蚀膜层的厚度;计算模块,用于根据所述被刻蚀膜层的厚度以及各个预设区域的光强分布计算出刻蚀速率;判断模块,用于若与所述各个预设区域的光强对应的刻蚀速率均小于预设值,则确定刻蚀终止。 |
地址 |
230012 安徽省合肥市新站区铜陵北路2177号 |