一种半导体器件的制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有用于形成浅沟槽隔离结构的沟槽；对所述沟槽执行第一离子注入步骤，以于所述沟槽的底部形成一P型阱区；使用隔离材料填充所述沟槽；对所述半导体衬底执行第二离子注入步骤，以于所述半导体衬底中形成多个n型阱区；所述P型阱区位于所述多个n型阱区之间。根据本发明，通过在浅沟槽隔离结构形成之前在半导体衬底中进行P型杂质的掺杂，可以避免光刻胶层厚度的增加所造成的光刻稳定性下降的问题，其能够有效稳定地提高阱与阱之间的电绝缘性能。

主权项

一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有用于形成浅沟槽隔离结构的沟槽；对所述半导体衬底执行第一离子注入步骤，以于所述沟槽的底部形成一P型阱区；使用隔离材料填充所述沟槽；对所述半导体衬底执行第二离子注入步骤，以于所述半导体衬底中形成多个n型阱区，对所述半导体衬底执行第二离子注入步骤包括在半导体衬底上形成光刻胶层的步骤，以及图案化所述光刻胶层以暴露除所述浅沟槽隔离结构之外的其它部分的步骤；所述P型阱区位于所述多个n型阱区之间；对所述沟槽执行第一离子注入步骤之前，还包括对所述沟槽的侧壁进行氧化以形成侧壁氧化物的步骤，以用作后续的P型离子注入工序的掩膜，减少沟槽侧壁下方的半导体衬底中的P型离子注入的剂量，使所述注入的离子尽量多的集中在沟槽底部正下方处的半导体衬底中。