β伏打设备及方法

摘要

示例性的削薄的β伏打器件，包括：厚度在约3到50微米之间的N+掺杂的碳化硅(SiC)基质；紧邻所述SiC基质的底部表面布置的导电层；紧邻所述SiC基质的顶部表面布置的N-掺杂的SiC外延层；紧邻所述N-掺杂的SiC外延层的顶部表面布置的P+掺杂的SiC外延层；紧邻所述P+掺杂的SiC外延层的顶部表面布置的欧姆导电层；以及紧邻所述欧姆导电层的顶部表面布置的放射性同位素层。所述放射性同位素层可以是⁶³Ni、¹⁴⁷Pm或³H。该器件可以并联或串联地堆叠。还公开了制造所述器件的方法。

主权项

一种β伏打器件，包括：N+掺杂的半导体基质，该半导体基质具有顶部表面和底部表面，在顶部表面与底部表面之间的厚度为t_N+，其中t_N+等于或小于100微米(μm)；紧邻所述基质的底部表面布置的导电层；紧邻所述基质的顶部表面布置的、具有顶部表面的N‑掺杂的外延层；紧邻所述N‑掺杂的外延层的顶部表面布置的、具有顶部表面的P+掺杂的外延层；紧邻所述P+掺杂的外延层的顶部表面布置的、具有顶部表面的欧姆导电层；以及紧邻所述欧姆导电层的顶部表面布置的放射性同位素层。