半导体互连结构及形成方法

摘要

一种半导体互连结构及形成方法，所述半导体互连结构包括：金属互连层，所述金属互连层包括金属层和与所述金属层边缘相连接的第一金属突出部；位于所述第一金属突出部表面的导电插塞，其中，所述导电插塞到第一金属突出部的端点的距离大于最小设计尺寸。当半导体互连结构从较高的制造工艺温度降低到室温时，所述导电插塞到第一金属突出部的端点对应的部分第一金属突出部和所述导电插塞到金属层边缘对应的部分第一金属突出部都会发生收缩，产生的应力相互抵消，使得导电插塞和金属突出部的位置不会发生相对错位，所述导电插塞和金属突出部相接触的位置不会产生空洞。

主权项

一种半导体互连结构，其特征在于，包括：金属互连层，所述金属互连层包括金属层和与所述金属层边缘相连接的第一金属突出部；位于所述第一金属突出部表面的导电插塞，其中，所述导电插塞到第一金属突出部的端点的距离大于最小设计尺寸，用以使所述导电插塞到所述第一金属突出部的端点间的应力抵消部分所述导电插塞到金属边缘间的应力，所述最小设计尺寸为导电插塞的侧壁到金属互连层边缘的最小间距；所述金属互连层还包括第二金属突出部，所述第二金属突出部位于所述导电插塞与第一金属突出部相接触的位置的至少一侧且与第一金属突出部相连接；位于所述第二金属突出部表面的伪导电插塞。