发明名称 | 通过外加纵向电场控制ZnO生长形貌的方法及其装置 | ||
摘要 | 一种通过外加纵向电场控制ZnO生长形貌的方法:取纯度大于99.9%的锌源,称重后将锌源放入石英舟内,在锌源的下游方向0.5-4cm处设置上金属片和下金属片,外加电压为5-50V,将清洗干净的衬底放置到下金属片上,向石英舟所在的石英管中通入载气氩气和反应气体氧气,石英管内的压力控制在10万Pa以下,氩气流量控制在10-1000ml/min,氧气流量控制在1-500ml/min,生长温度控制在400-1000℃,生长时间为10-60min,生长完成后,关闭氧气,保持10-1000ml/min的流量继续通入氩气,当石英管内的温度降到室温后,取出生长出ZnO材料的衬底。这是一种能够对ZnO的生长形貌进行控制,以获得高效、稳定紫外发光器件的方法,以及该种方法所应用的装置。 | ||
申请公布号 | CN104085914B | 申请公布日期 | 2016.01.06 |
申请号 | CN201410339790.6 | 申请日期 | 2014.07.17 |
申请人 | 辽宁师范大学 | 发明人 | 冯秋菊;唐凯;徐坤;梅艺赢;李梦轲 |
分类号 | C01G9/03(2006.01)I | 主分类号 | C01G9/03(2006.01)I |
代理机构 | 大连非凡专利事务所 21220 | 代理人 | 高学刚 |
主权项 | 一种通过外加纵向电场控制ZnO生长形貌的方法,其特征在于:所述的方法按照以下步骤进行:取纯度大于99.9%的锌源,称重后将锌源放入石英舟内,在锌源的下游方向0.5‑4cm处设置分别与电源的正负极相连的上金属片和下金属片,外加电压为5‑50V,将清洗干净的衬底放置到下金属片上,而衬底距离上金属片为0.1‑5cm,向石英舟所在的石英管中通入载气氩气和反应气体氧气,石英管内的压力控制在10万Pa以下,氩气流量控制在10‑1000ml/min,氧气流量控制在1‑500ml/min,生长温度控制在400‑1000℃,生长时间为10‑60min,生长完成后,关闭氧气,保持10‑1000ml/min的流量继续通入氩气,当石英管内的温度降到室温后,取出生长出ZnO材料的衬底样品;所述的衬底是导电的氧化镓、碳化硅、硅、砷化镓、磷化铟或金属衬底。 | ||
地址 | 116029 辽宁省大连市沙河口区黄河路850号 |