鳍部和鳍式场效应管的形成方法

摘要

一种鳍部和鳍式场效应管的形成方法，其中所述鳍部的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有硬掩膜层，硬掩膜层具有若干相邻的开口；沿开口刻蚀半导体衬底，形成若干第一凹槽，第一凹槽的位置与开口的位置相对应，相邻的第一凹槽之间形成第一子鳍部；在第一凹槽和对应的开口内填充满隔离材料，形成隔离结构；去除硬掩膜层，形成若干第二凹槽；在所述第二凹槽内填充半导体材料，形成第二子鳍部；回刻蚀隔离结构，暴露第二子鳍部的侧壁；对第二子鳍部的侧壁进行平坦化处理。平坦化处理后，第二子鳍部的边缘和侧壁表面的形貌的具有较好均匀性，形成横跨第二子鳍部的栅极结构后，提高了鳍式场效应管的阈值电压的稳定性。

主权项

一种鳍部的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有硬掩膜层，所述硬掩膜层具有若干相邻的开口，所述开口暴露半导体衬底表面；沿开口刻蚀所述半导体衬底，形成若干第一凹槽，第一凹槽的位置与开口的位置相对应，相邻的第一凹槽之间形成第一子鳍部,所述第一凹槽的形成过程为：以所述掩膜层为掩膜，采用第一等离子体刻蚀工艺刻蚀所述半导体衬底，形成第一子凹槽，第一子凹槽的形状为矩形，第一子凹槽的侧壁为垂直侧壁；采用第二等离子体刻蚀工艺沿第一子凹槽刻蚀所述半导体衬底，形成第二子凹槽，所述第二子凹槽的形状为“V”型，第二子凹槽的侧壁为倾斜侧壁；在所述第一凹槽和对应的开口内填充满隔离材料，形成隔离结构；去除硬掩膜层，形成若干第二凹槽；在所述第二凹槽内填充半导体材料，形成第二子鳍部，第一子鳍部和第二子鳍部构成鳍部；回刻蚀所述隔离结构，暴露第二子鳍部的侧壁；对所述第二子鳍部的侧壁进行平坦化处理。