| 发明名称 | MRAM存储器、数据存储系统及数据读取方法 | ||
| 摘要 | 本发明实施例提供一种MRAM存储器、数据存储系统及数据读取方法，其中MRAM存储包括：接收数据操作命令的NAND接口；根据所述NAND接口所接收的数据操作命令，执行数据操作的MRAM阵列；获取并缓存MRAM阵列中待读取的数据，并将所述待读取的数据通过所述NAND接口输出的页缓冲器Page Buffer；其中，所述MRAM阵列通过所述页缓冲器与所述NAND接口相连。本发明实施例将NAND接口作为MRAM存储器的数据接口，同时将页缓冲器作为外部设备从MRAM存储器中读取出数据的区域，使得MRAM存储器读取数据的速率得到了提升。 | ||
| 申请公布号 | CN105224241A | 申请公布日期 | 2016.01.06 |
| 申请号 | CN201410283328.9 | 申请日期 | 2014.06.23 |
| 申请人 | 联想（北京）有限公司 | 发明人 | 赵继勋 |
| 分类号 | G06F3/06(2006.01)I;G06F12/08(2006.01)I | 主分类号 | G06F3/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 王宝筠 |
| 主权项 | 一种MRAM存储器，其特征在于，包括：接收数据操作命令的NAND接口；根据所述NAND接口所接收的数据操作命令，执行数据操作的MRAM阵列；获取并缓存MRAM阵列中待读取的数据，并将所述待读取的数据通过所述NAND接口输出的页缓冲器Page Buffer；其中，所述MRAM阵列通过所述页缓冲器与所述NAND接口相连。 | ||
| 地址 | 100085 北京市海淀区上地信息产业基地创业路6号 | ||