发明名称 一种低压CMOS基准源
摘要 本发明属于模拟电路技术领域,具体的说涉及一种低压CMOS基准源。本发明的电路主要包括启动电路、正温电流产生电路和电压叠加电路,其中,第五PMOS管MP5、第五NMOS管MN5和电容C构成启动电路;第一PMOS管MP1、第二PMOS管MP2、第四PMOS管MP4、第六PMOS管MP6、第七PMOS管MP7、第一NMOS管MN1、第二NMOS管MN2、第三NMOS管MN3、第四NMOS管MN4构成正温电流产生电路;第三PMOS管MP3、第八PMOS管MP8构成电压叠加电路,主要原理为。本发明的有益效果为,电路结构简单,可以通过很少的器件实现;相对于传统基准电路而言,本发明不包含三极管和电阻,完全通过MOS器件实现,这极大的较低了电路面积;同时,MOS基准电路可以在更低的电压和电流下工作,从而极大降低了电路功耗。
申请公布号 CN105224006A 申请公布日期 2016.01.06
申请号 CN201510712883.3 申请日期 2015.10.28
申请人 电子科技大学 发明人 周泽坤;马亚东;艾鑫;石跃;王卓;张波
分类号 G05F1/56(2006.01)I 主分类号 G05F1/56(2006.01)I
代理机构 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 代理人 葛启函
主权项 一种低压CMOS基准源,包括第一PMOS管MP1、第二PMOS管MP2、第三PMOS管MP3、第四PMOS管MP4、第五PMOS管MP5、第六PMOS管MP6、第七PMOS管MP7、第八PMOS管MP8、第一NMOS管MN1、第二NMOS管MN2、第三NMOS管MN3、第四NMOS管MN4、第五NMOS管MN5和电容C;其中,第五PMOS管MP5的栅极通过电容C后接电源,其漏接接地;第五NMOS管MN5的栅极接电源,其漏接通过电容C后接电源,其源极接地;第四PMOS管MP4的源极接电源,其栅极接第一PMOS管MP1的漏极,其漏极接第一NMOS管MN1的漏极和第一NMOS管MN1的栅极;第一NMOS管MN1的源极接地;第七PMOS管MP7的源极接电源,其栅极接第六PMOS管MP6的漏极;第六PMOS管MP6的栅极与漏极互连,其源极接第七PMOS管MP7的漏极;第二NMOS管MN2的漏极接第六PMOS管MP6的漏极,其栅极接第四PMOS管MP4的漏极,其源极接地;第一PMOS管MP1的源极接第七PMOS管MP7的漏极,其栅极接第二PMOS管MP2的漏极;第三NMOS管MN3的漏极接第一PMOS管MP1的漏极,其栅极接第四PMOS管MP4的漏极,其源极接地;第二PMOS管MP2的源极接电源,其栅极与漏极互连;第四NMOS管MN4的漏极接第二PMOS管MP2的漏极,其栅极接第四PMOS管MP4的漏极,其源极接地;第三PMOS管MP3的源极接电源,其栅极接第二PMOS管MP2的漏极;第八PMOS管MP8的栅极和源极接地,其漏极接第三PMOS管MP3的漏极;第三PMOS管MP3漏极与第八PMOS管MP8漏极的连接点为基准源的输出端。
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