一种基区缓变掺杂碳化硅薄膜外延制备方法

摘要

本发明涉及一种基区缓变掺杂碳化硅薄膜外延制备方法，该方法包括：(1)将碳化硅衬底放置到碳化硅CVD设备的反应室中，将反应室抽成真空；(2)向反应室通入H₂直至反应室气压到达100mbar，保持反应室气压恒定，将H₂流量逐渐增至60L/min，继续向反应室通气；(3)打开高频线圈感应加热器RF，逐渐增大该加热器的功率，当反应室温度升高逐渐至1400℃进行原位刻蚀；(4)当反应室温度到达到1580℃-1600℃时，保持温度和压强恒定，设置Al源流量，向反应室通入C₃H₈和SiH₄，通过渐变调节通入反应室中C₃H₈和SiH₄的流量生长P型缓变掺杂碳化硅薄膜外延层。本发明的方法利用碳化硅的CVD设备，制备出纵向掺杂浓度梯度可控的碳化硅外延层，满足了制备梯度低掺杂外延层的要求。

主权项

一种基区缓变掺杂碳化硅薄膜外延制备方法，其特征在于，所述制备方法包括下述步骤：步骤一，将碳化硅衬底放置到碳化硅化学气相沉积设备的反应室中，将反应室抽成真空；步骤二，在氢气流中加热反应室；步骤三，对碳化硅衬底进行原位刻蚀；步骤四，设置生长条件，开始生长碳化硅外延层；步骤五，在氢气流中冷却碳化硅衬底；步骤六，在氩气中冷却碳化硅衬底。