在积层电路板上直接磊晶生长LED的方法及应用

摘要

本发明涉及一种在积层电路板上直接磊晶生长LED的方法及应用，所述方法包括：对积层电路板的上表面进行研磨和清洗并进行离子注入，使晶格适配层具有导电性能；对积层电路板的上表面进行ICP刻蚀，粗化积层电路板的上表面，以增加晶格生长的扣合力；MOCVD生长N型GaN层并进行图形化刻蚀；刻蚀后保留的N型GaN层位于第一晶格适配层之上；对积层电路板的上表面进行ICP刻蚀，粗化积层电路板的上表面；MOCVD生长P型GaN层并进行图形化刻蚀；刻蚀后保留的P型GaN位于N型GaN层和第二晶格适配层之上；MESA光刻和刻蚀，在P型GaN层上形成隔离槽，以使所述N型GaN层和P型GaN层构成多个独立PN结结构。

主权项

一种在积层电路板上直接磊晶生长发光二极管LED的方法，其特征在于，所述积层电路板的上表面具有在积层电路板的金属焊盘电极上淀积的晶格适配层，所述方法包括：对所述积层电路板的上表面进行研磨和清洗；对所述积层电路板的上表面进行离子注入，以使所述晶格适配层具有导电性能；对所述积层电路板的上表面进行研磨，用以去除离子注入造成的损伤层；对所述积层电路板的上表面进行感应耦合等离子体ICP刻蚀，粗化所述积层电路板的上表面，用以形成凸起的球状岛，增加晶格生长的扣合力；金属有机化学气相淀积MOCVD生长N型GaN层并进行图形化刻蚀；所述图形化刻蚀后保留的N型GaN层位于第一晶格适配层之上；对所述积层电路板的上表面进行ICP刻蚀，粗化所述积层电路板的上表面，用以形成凸起的球状岛，增加晶格生长的扣合力；MOCVD生长P型GaN层；台面MESA光刻和刻蚀，在所述P型GaN层上形成隔离槽，以使所述N型GaN层和P型GaN层构成多个独立PN结结构；其中，所述刻蚀后保留的P型GaN位于N型GaN层和第二晶格适配层之上；其中，所述积层电路板为无机积层电路板。