一种等离子体刻蚀室

摘要

本发明公开了一种等离子体刻蚀室，通过将上电极外围的调节环设置为材质阻抗相差两倍以上的内圈环和外圈环，来调节等离子体刻蚀室内的射频耦合，从而影响基片边缘的刻蚀速率，调节基片刻蚀的均匀度，使得纵向刻蚀深孔和横向刻蚀沟槽能在同一刻蚀条件下完成，且保持良好的均匀性。

主权项

一种等离子体刻蚀室，包括一真空处理室，所述真空处理室内包括一上电极和位于所述上电极下方的基座，所述基座包括一静电吸盘和一下电极，所述下电极连接一射频功率源，待处理的基片放置在所述静电吸盘上；所述上电极上方设置一背板，所述上电极外周设置一调节环，其特征在于：所述调节环包括内圈环和外圈环，所述内圈环和外圈环材质不同，所述外圈环材质阻抗为内圈环材质阻抗的两倍及以上；所述外圈环和所述内圈环可上下移动，所述内圈环两侧和所述上电极与所述外圈环间保持接触。