半导体器件及其制造方法

摘要

一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：半导体衬底；依次位于所述半导体衬底上的刻蚀阻挡层、第一介质层、中间停止层和第二介质层，所述中间停止层具有致密的结构，且所述中间停止层的介电常数位于2.3～2.5；被所述刻蚀阻挡层、第一介质层和中间停止层所包围的接触插塞；被所述第二介质层所包围的金属线。所述制造方法可以先形成沟槽再形成通孔，也可以先形成通孔再形成沟槽，还可以采用自对准工艺依次形成沟槽和通孔。本发明既可以保证半导体器件的电阻分布很均匀，又可以减小延迟时间，最终提高了半导体器件的可靠性和稳定性。

主权项

一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上依次形成刻蚀阻挡层、第一介质层、中间停止层和第二介质层，所述中间停止层具有致密的结构，且所述中间停止层的介电常数位于2.3～2.5，所述中间停止层的厚度范围包括：刻蚀所述第二介质层、中间停止层、第一介质层和刻蚀阻挡层至露出半导体衬底，形成双大马士革结构，所述双大马士革结构包括沟槽和通孔，所述沟槽位于所述第二介质层中，所述通孔位于所述中间停止层、第一介质层和刻蚀阻挡层中，刻蚀所述第二介质层的刻蚀气体NF₃对第二介质层与所述中间停止层的刻蚀选择比大于或等于15；在所述双大马士革结构中填充金属层，所述金属层的上表面与所述第二介质层的上表面齐平。