发明名称 |
一种氮化镓纳米线及其制备方法 |
摘要 |
本发明提供了一种氮化镓纳米线及其制备方法,包括:在常压下,将单质镓、氧化镓与含有氨气的气体在负载有制备氮化镓纳米线的催化剂的衬底上进行化学气相沉积。采用本发明的方法制备得到的氮化镓纳米线具有周期性结构,并且形貌、尺寸可控,本发明制备得到的具有周期性结构的氮化镓纳米线,相比于以往所制备的无周期性结构的平直的氮化镓纳米线的暴露面更加丰富,光电性质得到改善,在微纳光电子器件的研究和应用中有广泛的潜在应用价值。并且本发明的方法简单且易于操作,无需采用以往方法中所必须的高真空设备。 |
申请公布号 |
CN103387213B |
申请公布日期 |
2016.01.06 |
申请号 |
CN201210143302.5 |
申请日期 |
2012.05.09 |
申请人 |
国家纳米科学中心 |
发明人 |
杨蓉;张营;王琛 |
分类号 |
C01B21/06(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I |
主分类号 |
C01B21/06(2006.01)I |
代理机构 |
北京润平知识产权代理有限公司 11283 |
代理人 |
王浩然;周建秋 |
主权项 |
一种制备氮化镓纳米线的方法,其特征在于,该方法包括:在常压下,将单质镓、氧化镓与含有氨气的气体在负载有制备氮化镓纳米线的催化剂的衬底上进行化学气相沉积,所述化学气相沉积在单质碳存在下进行,其中,相对于每克氧化镓,所述含有氨气的气体以氨气计的流量为30‑50sccm,其中,所述单质镓、氧化镓与单质碳的质量比为0.5‑1.5:1:0.25‑1,所述化学气相沉积的条件包括:温度为900‑1000℃;升温速度为10‑20℃/min;化学气相沉积时间为0.25‑1小时;载气为惰性气体;相对于每克氧化镓,载气气流为10‑30sccm。 |
地址 |
100190 北京市海淀区中关村北一条11号 |