| 发明名称 | 清洁方法、半导体器件的制造方法及衬底处理装置 | ||
| 摘要 | 清洁方法、半导体器件的制造方法及衬底处理装置，抑制由进行清洁处理导致的排气管的腐蚀。交替地重复：通过向处理衬底的处理室内供给清洁气体，并经由排气管排出处理室内的清洁气体而清洁处理室内的工序；和通过维持实质停止了清洁气体向排气管内的流通的状态而冷却排气管的工序。 | ||
| 申请公布号 | CN105225926A | 申请公布日期 | 2016.01.06 |
| 申请号 | CN201510367912.7 | 申请日期 | 2015.06.29 |
| 申请人 | 株式会社日立国际电气 | 发明人 | 小仓慎太郎;笹岛亮太 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/67(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人 | 杨宏军;李文屿 |
| 主权项 | 一种清洁方法，交替地重复以下工序：(a)通过向处理衬底的处理室内供给清洁气体，并经由排气管排出所述处理室内的所述清洁气体，由此清洁所述处理室内的工序；和(b)通过维持实质停止了所述清洁气体向所述排气管内的流通的状态而冷却所述排气管的工序。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||