发明名称 基于存储器测试仪的模拟电压测量和调节的方法
摘要 本发明提供了一种基于存储器测试仪的模拟电压测量和调节的方法,包括:将模拟电压的输出端口当作存储器的输出连接至存储器测试仪的测试输入端口;在存储器测试仪中设定第一比较电压和第二比较电压作为模拟电压调节的目标范围;使得模拟电压的输出端口输出多个模拟电压值,并且按顺序依次输入存储器测试仪,以读取输入的模拟电压值在存储器测试仪中测得的结果,而且将读取的结果存入预定文档;从所述预定文档里取出读取的结果,查找出读0和读1都失败的结果所对应的模拟电压值输入范围;将模拟电压值输入范围内的中间电压值选择为最佳测试电压值。
申请公布号 CN105225697A 申请公布日期 2016.01.06
申请号 CN201510694983.8 申请日期 2015.10.22
申请人 上海华虹宏力半导体制造有限公司 发明人 索鑫
分类号 G11C29/08(2006.01)I;G11C29/50(2006.01)I 主分类号 G11C29/08(2006.01)I
代理机构 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人 屈蘅
主权项 一种基于存储器测试仪的模拟电压测量和调节的方法,其特征在于包括:将模拟电压的输出端口当作存储器的输出连接至存储器测试仪的测试输入端口;在存储器测试仪中设定第一比较电压和第二比较电压作为模拟电压调节的目标范围;使得模拟电压的输出端口输出多个模拟电压值,并且按顺序依次输入存储器测试仪,以读取输入的模拟电压值在存储器测试仪中测得的结果,而且将读取的结果存入预定文档;从所述预定文档里取出读取的结果,查找出读0和读1都失败的结果所对应的模拟电压值输入范围;将模拟电压值输入范围内的中间电压值选择为最佳测试电压值。
地址 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号