| 发明名称 | 一种平面型VDMOS器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种平面型VDMOS器件及其制造方法，包括：在外延层上生长栅氧化层；在所述的栅氧化层上生长不掺杂的多晶硅层；将所述多晶硅层刻蚀成分段结构；将所述分段后的多晶硅层进行氧化；在所述外延层上，制作第二导电类型阱区和第一导电类型源区；在所述外延层上生长介质层并形成接触孔；向所述接触孔中注入离子，形成第二导电类型深体区；制作金属层。本方法能消除平面型VDMOS中多晶硅与外延层之间所产生的栅漏电容。 | ||
| 申请公布号 | CN105226081A | 申请公布日期 | 2016.01.06 |
| 申请号 | CN201410265019.9 | 申请日期 | 2014.06.13 |
| 申请人 | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 | 发明人 | 马万里 |
| 分类号 | H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人 | 黄志华 |
| 主权项 | 一种平面型VDMOS的制造方法，其特征在于，包括：在外延层上生长栅氧化层；在所述的栅氧化层上生长不掺杂的多晶硅层；将所述多晶硅层刻蚀成分段结构；将所述分段后的多晶硅层进行氧化；在所述外延层上，制作第二导电类型阱区和第一导电类型源区；在所述外延层上生长介质层并形成接触孔；向所述接触孔中注入离子，形成第二导电类型深体区；制作金属层。 | ||
| 地址 | 100871 北京市海淀区成府路298号方正大厦5层 | ||