一种氮化物白光发光二极管

摘要

本发明公开了一种氮化物白光发光二极管，包括：衬底；外延层；N型电极以及P型电极；通过在衬底和外延层上分别形成沟道，并在沟道上形成低导热系数材料的温度隔离层，使单一芯片形成三个独立温区（I/II/III区），在I/II/III区的外延层侧壁和衬底背面形成高导热系数材料的控温层，分别用于控制外延层和衬底的温度，从而根据热膨胀系数差异，分别调节I/II/III区的氮化物和衬底的晶格常数，进而调节氮化物受到的双轴应力，而量子阱受不同双轴应力的作用会改变导带底和价带顶的位置，改变禁带宽度和发光波长，从而通过调节双轴应力可调控同一铟组分的发光二极管实现红、绿、蓝光的发光，实现单一芯片的白光发射。

主权项

一种氮化物白光发光二极管，包括：衬底；N型氮化物、量子阱和P型氮化物构成的外延层；N型电极以及P型电极；通过在衬底和外延层上分别形成沟道，并在沟道上形成低导热系数材料的温度隔离层，使单一芯片形成三个独立温区（I/II/III区），在I/II/III区的外延层侧壁和衬底背面形成高导热系数材料的控温层，分别用于控制外延层和衬底的温度，从而根据热膨胀系数差异，分别调节I/II/III区的氮化物和衬底的晶格常数，进而调节氮化物受到的双轴应力，而量子阱受不同双轴应力的作用会改变导带底和价带顶的位置，改变禁带宽度和发光波长，从而通过调节双轴应力可调控同一铟组分的发光二极管实现红、绿、蓝光的发光，实现单一芯片的白光发射。