发明名称 | 微机电元件的蚀刻方法 | ||
摘要 | 本发明公开一种微机电元件的蚀刻方法,包括如下步骤:提供基板,具有第一表面与相对第一表面的第二表面,其中基板的第一表面上还包括配置有基底结构、牺牲结构与至少一黏着层,其中黏着层配置于基底结构与牺牲结构之间,且基底结构配置于黏着层与基板之间;对基板的第二表面进行表面研磨制作工艺;利用包含有氧气与第一含氮基气体的第一混合气体,对牺牲结构进行第一等离子体蚀刻制作工艺,以去除牺牲结构;以及利用包含有第二含氮基气体与含氟基气体的第二混合气体,对黏着层进行第二等离子体蚀刻制作工艺,以去除黏着层。 | ||
申请公布号 | CN105217563A | 申请公布日期 | 2016.01.06 |
申请号 | CN201410241849.8 | 申请日期 | 2014.06.03 |
申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 邱俞翔;王镇和;吕信谊;徐长生 |
分类号 | B81C1/00(2006.01)I | 主分类号 | B81C1/00(2006.01)I |
代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 陈小雯 |
主权项 | 一种微机电元件的蚀刻方法,包括:提供一基板,具有第一表面与相对该第一表面的第二表面,其中该基板的该第一表面上还包括配置有基底结构、牺牲结构与至少一黏着层,其中该黏着层配置于该基底结构与该牺牲结构之间,该基底结构配置于该黏着层与该基板之间;对该基板的该第二表面进行一表面研磨制作工艺;利用包含有氧气与一第一含氮基气体的第一混合气体,对该牺牲结构进行一第一等离子体蚀刻制作工艺,以去除该牺牲结构;以及利用包含有一第二含氮基气体与一含氟基气体的第二混合气体,对该黏着层进行一第二等离子体蚀刻制作工艺,以去除该黏着层。 | ||
地址 | 中国台湾新竹科学工业园区 |