一种能够提高薄膜沉积速率的纯离子真空电弧镀膜设备

摘要

本实用新型公开了一种能够提高薄膜沉积速率的纯离子真空电弧镀膜设备，包括相对布置的阴极靶材和真空腔室内设置的在其表面进行镀膜的基片，阴极靶材和基片之间设置管道状的过滤器，过滤器的管壁与正偏压电源相连接。通过在过滤器的管壁上施加正偏压，使得管道壁处的电势增加，排斥正电荷离子束流，使原先荷质比较小、螺旋半径较大的离子也能通过过滤器，从而提高了沉积速率。

主权项

一种能够提高薄膜沉积速率的纯离子真空电弧镀膜设备，其特征在于：包括相对布置的阴极靶材和真空腔室内设置的在其表面进行镀膜的基片，阴极靶材和基片之间设置管道状的过滤器，过滤器的管壁与正偏压电源相连接；阴极靶材为石墨材料，正偏压电源为+20V偏压电源，过滤器为磁场强度1200Gs的过滤器；基片施加偏压；基片位于真空腔室内，管道状的过滤器的内腔直径沿其长度方向为横值，过滤器上只设置有一个入口和一个出口，过滤器的入口和出口呈垂直状布置，阴极靶材与过滤器的入口相对应布置，基片与过滤器的出口相对应布置。