发明名称 具有降低的表面电阻的掺杂石墨烯膜
摘要 提供一种通过化学掺杂来增加石墨烯膜的导电性的技术。在本发明的一个方面中,一种用于增加石墨烯膜的导电性的方法包括以下步骤。通过一个或多个石墨烯片形成石墨烯膜。将石墨烯片暴露到具有单电子氧化剂的溶液,所述溶液被配置为掺杂石墨烯片从而增加石墨烯片的导电性,进而增加膜的总导电性。石墨烯膜可以在将石墨烯片暴露到单电子氧化剂溶液之前形成。可选地,在形成石墨烯膜之前将石墨烯片暴露到单电子氧化剂溶液。还提供一种用于通过石墨烯膜在光伏器件上制造透明电极的方法。
申请公布号 CN103081027B 申请公布日期 2016.01.06
申请号 CN201180040066.8 申请日期 2011.06.07
申请人 国际商业机器公司 发明人 A·A·伯尔;A·阿夫扎利-阿尔达卡尼;G·S·图尔维斯基
分类号 H01B1/04(2006.01)I;H01L51/00(2006.01)I;H01L51/44(2006.01)I;C01B31/04(2006.01)I 主分类号 H01B1/04(2006.01)I
代理机构 北京市中咨律师事务所 11247 代理人 于静;张亚非
主权项 一种用于增加石墨烯膜的导电性的方法,包括以下步骤:通过一个或多个石墨烯片形成石墨烯膜;以及将所述石墨烯片暴露到包含单电子氧化剂的溶液,所述溶液被配置为掺杂所述石墨烯片以通过电荷转移增加所述石墨烯片的导电性同时不会影响所述石墨烯膜的共轭网络,进而增加所述膜的总导电性。
地址 美国纽约