发明名称 |
操作存储单元的方法及整合电路 |
摘要 |
本发明公开了一种操作包括相变材料的第一存储单元的方法,其中第一存储单元是可编程的,以存储多个数据值中的一个数据值,所述数据值以第一存储单元的多个不重叠范围电阻表示。该方法包括:施加至少一测试脉冲给第一存储单元,以在一中间范围电阻建立第一存储单元的一单元电阻,该中间范围电阻包括多个表示所述数据值的这些不重叠范围电阻的第一与第二相邻范围之间的多个电阻值;以及在施加至少一测试脉冲给第一存储单元之后,依据中间范围电阻的单元电阻与中间范围电阻的一参考电阻的多个相对值,判断是否施加至少一热脉冲给第一存储单元。 |
申请公布号 |
CN105225692A |
申请公布日期 |
2016.01.06 |
申请号 |
CN201510332780.4 |
申请日期 |
2015.06.16 |
申请人 |
旺宏电子股份有限公司 |
发明人 |
柯文昇;吴昭谊;苏资翔;李祥邦 |
分类号 |
G11C13/00(2006.01)I;G11C29/44(2006.01)I |
主分类号 |
G11C13/00(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
宋焰琴 |
主权项 |
一种操作包括相变材料的第一存储单元的方法,其中该第一存储单元是可编程的,用于存储多个数据值中的一个数据值,所述多个数据值是以该第一存储单元的多个不重叠范围电阻表示,该方法包括:施加至少一测试脉冲给该第一存储单元,以在一中间范围电阻建立该第一存储单元的一单元电阻,该中间范围电阻包括多个表示所述数据值的所述不重叠范围电阻的第一与第二相邻范围之间的多个电阻值;以及在施加该至少一测试脉冲给该第一存储单元之后,依据该中间范围电阻的该单元电阻与该中间范围电阻的一参考电阻的多个相对值,判断是否施加至少一热脉冲给该第一存储单元。 |
地址 |
中国台湾新竹科学工业园区力行路16号 |