| 发明名称 | 鳍式场效应晶体管的形成方法、MOS晶体管的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种鳍式场效应晶体管的形成方法、MOS晶体管的形成方法，所述鳍式场效应晶体管的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有若干分立的鳍部；形成横跨所述鳍部的侧壁和顶部表面的伪栅；形成覆盖所述伪栅和半导体衬底的介质层，所述介质层的表面高于伪栅的顶部表面；进行第一离子注入，向所述介质层中注入固化离子，以增加介质层的密度；平坦化所述介质层，暴露出伪栅的表面；去除所述伪栅，形成凹槽；在凹槽中形成金属栅极。本发明的方法防止在介质层中产生凹陷缺陷。 | ||
| 申请公布号 | CN105225950A | 申请公布日期 | 2016.01.06 |
| 申请号 | CN201410235132.2 | 申请日期 | 2014.05.29 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 赵杰 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 应战;骆苏华 |
| 主权项 | 一种鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有若干分立的鳍部；形成横跨所述鳍部的侧壁和顶部表面的伪栅；形成覆盖所述伪栅和半导体衬底的介质层，所述介质层的表面高于伪栅的顶部表面；进行第一离子注入，向所述介质层中注入固化离子，以增加介质层的密度；平坦化所述介质层，暴露出伪栅的表面；去除所述伪栅，形成凹槽；在凹槽中形成金属栅极。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||