一种TiAlV合金的刻蚀方法

摘要

本发明提出了一种TiAlV合金的刻蚀方法，包括：a.在半导体衬底上生长TiAlV合金薄膜；b.在所述TiAlV合金薄膜上涂覆光刻胶，并将所述光刻胶图形化；c.采用CL₂、BCL₃、N₂的混合气体对所述TiAlV合金薄膜进行刻蚀；其中，所述混合气体中CL₂、BCL₃、N₂的比例为1:1:1～1:2:2；d.去除光刻胶。本发明提出的干法刻蚀TiAlV合金的方法，对刻蚀中采用的刻蚀气体和刻蚀条件进行了精确的控制，利用不同的气体配比可以有效的以不同的速度形成刻蚀聚合物，从而达到对刻蚀形貌、刻蚀关键尺寸的有效控制，提高了该工艺的稳定性、重复性，降低大批量生产的成本，并提高良率。

主权项

一种TiAlV合金的刻蚀方法，包括：a.在半导体衬底上生长TiAlV合金薄膜；b.在所述TiAlV合金薄膜上涂覆光刻胶，并将所述光刻胶图形化；c.采用CL₂、BCL₃、N₂的混合气体对所述TiAlV合金薄膜进行刻蚀；其中，所述混合气体中CL₂、BCL₃、N₂的比例为1:1:1～1:2:2；d.去除光刻胶。