一种磁控溅射制备BMN薄膜的方法

摘要

本发明公开了一种磁控溅射制备BMN薄膜的方法，包括将衬底固定在基板支架上，打开分子泵对溅射腔室进行抽真空；到达本底真空度后，向溅射腔室内通入氩气，调节流量计，对基片再次进行清洗；关闭高压，打开基片旋转电机，调节基片转速为30rpm；当衬底温度达到温度后，先关闭靶材档板，调节射频功率至实验所需值，预溅射3-5min；通入氧气，调节流量计，设定Ar/O₂体积比，使腔室气压达到溅射气压4.0Pa；调节基片电压，打开档板，开始镀膜；经过氧气氛下退火得到晶化薄膜。本发明薄膜样品中BMN的(222)面衍射峰强度增强，对薄膜组分的影响小，薄膜中各元素摩尔比几乎不随频率的变化而变化。

主权项

一种磁控溅射制备BMN薄膜的方法，其特征在于，该磁控溅射制备BMN薄膜的方法包括：在阴极靶位置上安装BMN陶瓷靶材，将预处理的衬底固定在基板支架上，打开分子泵对溅射腔室进行抽真空；到达本底真空度后，向溅射腔室内通入高纯的氩气，调节流量计使气压，加高压对基片再次进行清洗；关闭高压，打开基片旋转电机，调节基片转速为30rpm；衬底温度升高，关闭靶材档板，调节射频功率至80‑200W，预溅射3‑5min；通入高纯氧气，调节流量计，设定Ar/O₂体积比，并使腔室气压达到溅射气压4.0Pa；调节基片电压为100V，打开档板，开始镀膜；经过700℃氧气氛下退火30min得到晶化薄膜。