| 发明名称 | 具有类金刚石层的发光二极管以及其制造方法与应用 | ||
| 摘要 | 一种具有类金刚石(Diamond-like carbon，DLC)层的发光二极管，包括：一基材；一半导体外延多层复合结构，设置于该基材上，该半导体外延多层复合结构包含：一第一半导体外延层、以及一第二半导体外延层，其中，该第一半导体外延层与该第二半导体外延层是层迭设置；一绝缘性类金刚石层，其覆盖该半导体外延多层复合结构的部分表面；一第一电极，与该半导体外延多层复合结构的该第一半导体外延层电性连接；以及一第二电极，与该半导体外延多层复合结构的该第二半导体外延层电性连接。本发明还公开了该发光二极管的制造方法与应用。 | ||
| 申请公布号 | CN103137819B | 申请公布日期 | 2016.01.06 |
| 申请号 | CN201110435454.8 | 申请日期 | 2011.12.22 |
| 申请人 | 铼钻科技股份有限公司 | 发明人 | 宋健民;甘明吉 |
| 分类号 | H01L33/40(2010.01)I;H01L33/12(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/40(2010.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 周长兴 |
| 主权项 | 一种具有导电性类金刚石层的发光二极管，包括：一基材；一半导体外延多层复合结构，设置于该基材上，该半导体外延多层复合结构包含：一第一半导体外延层、以及一第二半导体外延层，其中，该第一半导体外延层与该第二半导体外延层是层迭设置；一绝缘性类金刚石层，其覆盖该半导体外延多层复合结构的侧面、该第一半导体外延层的部份表面、或同时覆盖其两者；一第一电极，与该半导体外延多层复合结构的该第一半导体外延层电性连接；以及一第二电极，与该半导体外延多层复合结构的该第二半导体外延层电性连接；其中，该第一电极覆盖该绝缘性类金刚石层，且设置于该基材与该半导体外延多层复合结构之间。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹县湖口乡 | ||