| 发明名称 | 氧化物系陶瓷电路基板的制造方法以及氧化物系陶瓷电路基板 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种氧化物系陶瓷电路基板的制造方法，其是通过在氧化物系陶瓷基板上配置铜板而形成层叠体的工序、以及加热所得到的层叠体的工序，从而将氧化物系陶瓷基板和铜板一体接合而成的氧化物系陶瓷电路基板的接合方法，其特征在于，所述加热的工序具有：在1065～1085℃之间有加热温度的极大值的第一加热区域对层叠体进行加热的工序，接着在1000～1050℃之间有加热温度的极小值的第二加热区域对层叠体进行加热的工序，进而在1065～1120℃之间有加热温度的极大值的第三加热区域对层叠体进行加热而形成接合体的工序；之后在冷却区域将该接合体冷却。根据所述构成，可以得到耐热循环（TCT）特性优良的氧化物系陶瓷电路基板。 | ||
| 申请公布号 | CN103717552B | 申请公布日期 | 2016.01.06 |
| 申请号 | CN201280037799.0 | 申请日期 | 2012.07.26 |
| 申请人 | 株式会社东芝;东芝高新材料公司 | 发明人 | 那波隆之;佐藤英树;星野政则;小森田裕 |
| 分类号 | H01L23/15(2006.01)I;C04B37/02(2006.01)I;H05K3/20(2006.01)I;H05K3/38(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/15(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 刘凤岭;陈建全 |
| 主权项 | 一种氧化物系陶瓷电路基板的制造方法，其是通过在氧化物系陶瓷基板上配置铜板而形成层叠体的工序、以及加热所得到的层叠体的工序，从而将氧化物系陶瓷基板和铜板一体接合而成的氧化物系陶瓷电路基板的接合方法，其特征在于，所述加热的工序具有：在1065～1085℃之间有加热温度的极大值的第一加热区域对层叠体进行加热的工序，接着在1000～1050℃之间有加热温度的极小值的第二加热区域对层叠体进行加热的工序，进而在1065～1120℃之间有加热温度的极大值的第三加热区域对层叠体进行加热而形成接合体的工序；之后在冷却区域将该接合体冷却。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||