磷化铟异质结晶体管发射区材料干湿法结合刻蚀制作方法

摘要

本发明为磷化铟异质结晶体管发射区材料干湿法结合刻蚀制作方法，是一种磷化铟异质结晶体管蘑菇型发射极制作方法：使用干法刻蚀侧蚀量较大的金属制作下层发射极金属薄膜；使用干法刻蚀侧蚀量较小的金属制作上层发射极金属薄膜；光刻形成发射极条形光刻胶掩膜；干法刻蚀上下两层发射极金属；去除条形光刻胶掩膜，采用湿法腐蚀去除发射区外延材料；自对准制作基极接触金属，完成磷化铟异质结晶体管蘑菇型发射极制作；优点：利用上下两层发射极金属在干法刻蚀中的侧蚀量差异，为自对准工艺提供发射极与基极之间的电隔离间隙，可减小自对准工艺对湿法腐蚀发射区材料的侧蚀量需求，从而提高磷化铟异质结晶体管发射极成品率与可靠性。

主权项

一种磷化铟异质结晶体管蘑菇型发射极制作方法，其特征是该方法包括以下步骤：1）在磷化铟异质结晶体管外延材料上使用干法刻蚀侧蚀量较大的金属制作下层发射极金属薄膜;2）在下层发射极金属薄膜上，使用干法刻蚀侧蚀量较小的金属制作上层发射极金属薄膜；3）在上层发射极金属薄膜上，使用光刻工艺制作发射极条形光刻胶掩膜；4）利用干法刻蚀设备，刻蚀上下两层发射极金属；5）利用去胶剂有机溶剂去除发射极条形光刻胶掩膜，以发射极金属为腐蚀掩模，采用湿法腐蚀去除发射区外延材料；6）采用自对准方法制备基极接触金属，完成磷化铟异质结晶体管蘑菇型发射极制作。