发明名称 |
半导体器件制造方法 |
摘要 |
一种半导体器件制造方法,包括步骤:在衬底上形成栅介质层和第一非晶沟道层;减薄第一非晶沟道层;刻蚀第一非晶沟道层、栅介质层直至暴露衬底;在第一非晶沟道层和衬底上形成第二非晶沟道层;退火,使得第一非晶沟道层和第二非晶沟道层转变为多晶沟道层;减薄多晶沟道层。依照本发明的半导体器件制造方法,沉积非晶厚膜再减薄退火以提高多晶薄膜的晶粒大小,并利用额外的保护层避免侧壁刻蚀损伤,能够有效地降低多晶沟道层的界面态、损伤缺陷,从而提高器件的可靠性。 |
申请公布号 |
CN105226066A |
申请公布日期 |
2016.01.06 |
申请号 |
CN201510514552.9 |
申请日期 |
2015.08.20 |
申请人 |
中国科学院微电子研究所 |
发明人 |
叶甜春 |
分类号 |
H01L27/115(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/115(2006.01)I |
代理机构 |
北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 |
代理人 |
陈红 |
主权项 |
一种半导体器件制造方法,包括步骤:在衬底上形成栅介质层和第一非晶沟道层;减薄第一非晶沟道层;刻蚀第一非晶沟道层、栅介质层直至暴露衬底;在第一非晶沟道层和衬底上形成第二非晶沟道层;退火,使得第一非晶沟道层和第二非晶沟道层转变为多晶沟道层;减薄多晶沟道层。 |
地址 |
100029 北京市朝阳区北土城西路3# |