半导体器件的形成方法

摘要

本发明提供一种半导体器件的形成方法。包括：在半导体衬底上的第一介质层内形成第一插塞后，在第一介质层上形成覆盖第一插塞的保护层；在保护层上形成第二介质层，并刻蚀第二介质层，在第二介质层内形成第二开孔，露出所述第一插塞顶部的保护层后，去除所述第一插塞顶部的保护层，至露出第一插塞。其中，刻蚀第二介质层时，即使第一插塞表面有孔洞，保护层可有效保护第一插塞，避免刻蚀第二介质层产生的刻蚀副产物落入第一插塞的孔洞中，从而在后续向所述第二开孔内填充第二金属材料形成第二插塞后，避免所述刻蚀副产物影响第二插塞和第一插塞的性能。

主权项

一种半导体器件的形成方法，其特征在于：包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成第一介质层；刻蚀所述第一介质层，在所述第一介质层内形成第一开孔；向所述第一开孔内填充第一金属，形成第一插塞；在所述第一插塞上形成保护层；在所述保护层上形成第二介质层后，刻蚀所述第二介质层，形成第二开孔，所述第二开孔露出所述第一插塞顶部的所述保护层；沿着所述第二开孔，去除所述第一插塞顶部的所述保护层，露出所述第一插塞。